[发明专利]具有经改进的机械强度的高电阻率单晶硅锭及晶片有效
| 申请号： | 201780035592.2 | 申请日： | 2017-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN111201341B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 舒柏·巴萨克;伊格·佩杜斯;卡瑞喜玛·玛丽·哈德森;李衡敏;金昞天;罗伯特·J·法斯特 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 江葳 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 改进 机械 强度 电阻率 单晶硅 晶片 | ||
1.一种单晶硅晶片，其包括：
两个主要平行表面，其中一者是所述单晶硅晶片的前表面及其中另一者是所述单晶硅晶片的后表面；圆周边缘，其接合所述单晶硅晶片的所述前表面及所述后表面；块体区，其在所述前表面与所述后表面之间；及所述单晶硅晶片的中心平面，其在所述单晶硅晶片的所述前表面与所述后表面之间，其中：
(a)所述块体区包括杂质，其包括至少2x1014个原子/cm3且小于2x1015个原子/cm3的浓度的氮、至少5x1019个原子/cm3且小于1x1022个原子/cm3的浓度的锗、或至少2x1014个原子/cm3且小于2x1015个原子/cm3的浓度的氮与至少5x1019个原子/cm3且小于1x1022个原子/cm3的浓度的锗的组合，及
(b)所述块体区包括小于4ppma的浓度的间隙氧，其中所述间隙氧的浓度是根据新的ASTM:ASTM F 121,1980-1983；DIN 50438/1,1978，且
(c)进一步其中所述单晶硅晶片的所述块体区具有至少10,000ohm cm的电阻率。
2.根据权利要求1所述的单晶硅晶片，其中间隙氧的所述浓度为小于3ppma，其中所述间隙氧的浓度是根据新的ASTM:ASTM F 121,1980-1983；DIN 50438/1,1978。
3.根据权利要求1所述的单晶硅晶片，其中所述电阻率为至少15000ohm cm。
4.根据权利要求1所述的单晶硅晶片，其中所述电阻率为至少20000ohm cm。
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的单晶硅晶片，其中所述单晶硅晶片包括锗，所述锗的浓度为至少5x1019个原子/cm3且小于1x1022个原子/cm3。
6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的单晶硅晶片，其包括浓度至少2x1014个原子/cm3且小于2x1015个原子/cm3的氮。
7.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的单晶硅晶片，其包括浓度至少5x1014个原子/cm3且小于2x1015个原子/cm3的氮。
8.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的单晶硅晶片，其包括浓度至少1x1015个原子/cm3且小于2x1015个原子/cm3的氮。
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