[发明专利]保持半导体晶片的基座、在半导体晶片的正面沉积外延层的方法、具有外延层的半导体晶片有效
| 申请号： | 201780035494.9 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN109314041B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | J·哈贝雷希特 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B25/12;C23C16/458;H01L21/687;C30B31/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于在半导体晶片的正面沉积层期间保持所述半导体晶片的基座，其包括基座环和基座基部，其中在所述基座环下方以旋转对称分布的方式布置所述基座基部的凹部；使用所述基座在半导体晶片的正面沉积外延层的方法；以及具有外延层的半导体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 保持 半导体 晶片 基座 正面 沉积 外延 方法 具有 | ||
【主权项】：
1.用于在半导体晶片的正面沉积外延层期间保持所述半导体晶片的基座，其包括基座环，其具有凸缘，该凸缘用于以所述半导体晶片背面的边缘区域放置所述半导体晶片；和基座基部，其中所述基座环在所述基座基部上位于所述基座基部的中心周围，其特征在于，所述基座基部具有凹部，其位于所述基座环下方并且以旋转对称分布的方式布置在所述基座基部上，并且每个凹部的径向宽度大于所述基座环的径向宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
