[发明专利]半导体装置

摘要

将JG电极(11)与源极电极(8)经由电极层(13)直接连结。由此，能够减小寄生阻抗(50)的电阻值，实现JG电极(11)与源极电极(8)之间的阻抗减小。此外，将u－GaN层(4)及p－GaN层(10)从漏极电极(9)离开而配置。由此，能够使u－GaN层(4)与2DEG的对置面积变小，能够减小反馈电容(C1)。这样，通过实现JG电极(11)与源极电极(8)之间的阻抗减小及反馈电容(C1)的减小，能够使将反馈电容(C1)充电时流动的电流(Ijg)变大。由此，能够将反馈电容(C1)以高速充电，能够使JFET部(40)高速截止，所以能够使开关器件的关断更高速化。

主权项

1.一种半导体装置，具有横型的开关器件，其特征在于，具有开关器件，该开关器件具备：沟道形成层(2、3)，形成在基板上，具有由第1半导体层(2)及第2半导体层(3)构成的异质结构造，在上述第2半导体层形成有凹口部(5)，上述第1半导体层(2)由构成漂移区域的第1GaN类半导体构成，上述第2半导体层(3)由与上述第1GaN类半导体相比带隙能量大的第2GaN类半导体构成；栅极构造部，具有形成在上述凹口部内的栅极绝缘膜(6)及形成在该栅极绝缘膜之上的作为MOS构造的栅极电极的MOS栅极电极(7)；源极电极(8)及漏极电极(9)，在上述第2半导体层之上配置在夹着上述栅极构造部的两侧；第3半导体层(4)，在上述第2半导体层之上配置在上述栅极构造部与上述漏极电极之间的从上述漏极电极离开了的位置，由没有被掺加杂质的第3GaN类半导体构成；第4半导体层(10)，由形成在上述第3半导体层之上的p型的第4GaN类半导体构成；以及结型栅极电极(11)，与上述第4半导体层接触；上述源极电极与上述结型栅极电极经由在将上述MOS栅极电极覆盖的层间绝缘膜(12)之上形成的电极层(13)而连结；相对于上述第3半导体层的上述漏极电极侧的端部，上述第4半导体层的上述漏极电极侧的端部向上述漏极电极侧突出的距离(X)为0μm以上且5μm以下。