[发明专利]包括由高压晶体管形成的芯片并且包括由低压晶体管形成的芯片的集成电路有效
| 申请号： | 201780031115.9 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN109314107B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | E·莫劳;T·萨托;L·古洛特 | 申请（专利权）人： | 埃克斯甘公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H03K17/082 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路(3)，该集成电路包括：壳体(4)和多个连接引脚、包括高压耗尽型晶体管的第一芯片(1)和包括低压增强型晶体管的第二芯片(2)，第一芯片和第二芯片皆包括栅极凸块触点(13、23)、漏极凸块触点(11、21)以及源极凸块触点(12、22)；高压晶体管的源极凸块触点(12)电连接至低压晶体管的漏极凸块触点(21)以形成电路的中心节点。所述电路包括电连接至低压晶体管的源极凸块触点(22)的至少一个第一Kelvin引脚(36)。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 高压 晶体管 形成 芯片 并且 低压 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路(3)，所述集成电路包括：壳体(4)、多个连接引脚、包括高压耗尽型晶体管的第一芯片(1)、以及包括低压增强型晶体管的第二芯片(2)，其中，所述第一芯片和所述第二芯片皆包括栅极凸块触点(13、23)、漏极凸块触点(11、21)以及源极凸块触点(12、22)；其中，所述高压晶体管的所述源极凸块触点(12)电连接至所述低压晶体管的所述漏极凸块触点(21)，以形成所述电路的中心节点，并且所述集成电路包括电连接至所述低压晶体管的所述源极凸块触点(22)的至少一个第一Kelvin引脚(36)。
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