[发明专利]包括由高压晶体管形成的芯片并且包括由低压晶体管形成的芯片的集成电路

权利要求书

1.一种集成电路(3)，所述集成电路包括：壳体(4)、多个连接引脚、包括高压耗尽型晶体管的第一芯片(1)、以及包括低压增强型晶体管的第二芯片(2)，其中，所述第一芯片和所述第二芯片皆包括栅极凸块触点(13、23)、漏极凸块触点(11、21)以及源极凸块触点(12、22)；其中，所述高压耗尽型晶体管的所述源极凸块触点(12)电连接至所述低压增强型晶体管的所述漏极凸块触点(21)，以形成所述电路的中心节点，并且所述集成电路包括电连接至所述低压增强型晶体管的所述源极凸块触点(22)的至少一个第一Kelvin引脚(36)；以及第二Kelvin引脚(36’)，所述第二Kelvin引脚电连接至所述低压增强型晶体管的所述源极凸块触点(22)。

2.根据权利要求1所述的集成电路(3)，所述集成电路包括：中心点引脚(35)，所述中心点引脚电连接至所述电路的所述中心节点。

3.根据权利要求2所述的集成电路(3)，其中，所述第一Kelvin引脚(36)邻近所述中心点引脚(35)或者位于所述壳体(4)的与所述中心点引脚(35)相同的一侧。

4.根据权利要求2所述的集成电路(3)，所述集成电路还包括：漏极引脚(31)，所述漏极引脚电连接至所述高压耗尽型晶体管的所述漏极凸块触点(11)；源极引脚(32)，所述源极引脚电连接至所述低压增强型晶体管的所述源极凸块触点(22)；栅极引脚(33)，所述栅极引脚电连接至所述低压增强型晶体管的所述栅极凸块触点(23)。

5.根据权利要求4所述的集成电路(3)，其中，所述第一Kelvin引脚(36)邻近所述栅极引脚(33)或者位于所述壳体的与所述栅极引脚(33)相同的一侧。

6.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述第一Kelvin引脚(36)邻近所述栅极引脚(33)或者位于所述壳体的与所述栅极引脚(33)相同的一侧，并且所述第二Kelvin引脚(36’)邻近所述中心点引脚(35)或者位于所述壳体(4)的与所述中心点引脚(35)相同的一侧。

7.根据权利要求4至6中的一项所述的集成电路(3)，其中，所述中心点引脚(35)邻近所述源极引脚(32)。

8.根据权利要求7所述的集成电路(3)，所述集成电路包括：第二栅极引脚(37)，所述第二栅极引脚电连接至所述高压耗尽型晶体管的所述栅极凸块触点(13)。

9.根据权利要求8所述的集成电路(3)，其中，所述第二栅极引脚(37)邻近所述中心点引脚(35)。

10.根据权利要求1所述的集成电路(3)，其中，所述低压增强型晶体管的所述源极凸块触点(22)电连接至所述高压耗尽型晶体管的所述栅极凸块触点(13)。

11.根据权利要求1所述的集成电路(3)，其中，电连接由引线键合(5)形成。

12.根据权利要求1所述的集成电路(3)，所述集成电路包括：电阻性无源组件(9)，所述电阻性无源组件位于所述壳体(4)中并且电连接在所述第二芯片(2)的所述栅极凸块触点(23)与所述第二芯片(2)的所述源极凸块触点(22)之间。

13.根据权利要求12所述的集成电路(3)，其中，所述电阻性无源组件(9)形成在第三芯片(90)中，所述第三芯片通过引线键合(5)电连接至所述第二芯片(2)。

14.根据权利要求12所述的集成电路(3)，其中，所述电阻性无源组件(9)形成在所述第二芯片(2)中或者所述第一芯片(1)中。

15.根据权利要求12至14中的一项所述的集成电路(3)，其中，所述电阻性无源组件(9)具有100千欧姆与1兆欧姆之间的电阻。