[发明专利]用于改良的半导体蚀刻及部件保护的系统与方法

摘要

半导体系统及方法可包括具有气箱的半导体处理腔室，此气箱提供至所述半导体处理腔室的入口。所述腔室可包括第一环形支撑件，在第一环形支撑件的第一表面处接触气箱，其中第一环形支撑件和气箱各自界定第一通道的一部分，第一通道位于气箱与第一环形支撑件的界面处；以及第一气体分配板，安装在第一通道内。腔室还可包括第二环形支撑件，在第一环形支撑件的第二表面处接触第一环形支撑件，第一环形支撑件的第二表面在第一环形支撑件的第一表面的对面，其中第二环形支撑件至少部分地界定第二通道，第二通道位于半导体处理腔室的内部区域周围；以及第二气体分配板，安装在第二通道内，其中第一气体分配板和第二气体分配板包含石英。

主权项

1.一种半导体处理系统，包含：远程等离子体源；输送管，与所述远程等离子体源耦接；以及半导体处理腔室，其中所述半导体处理腔室包含：气箱，耦接在所述输送管的远端区域周围，第一环形支撑件，在所述第一环形支撑件的第一表面处接触所述气箱，其中所述第一环形支撑件及所述气箱一起界定第一通道，所述第一通道在所述半导体处理腔室的内部区域周围，及气体分配板，安装在所述第一通道内。