[发明专利]半导体装置

摘要

在沿与半导体基板(10)的正面平行地配置为条纹状的多个沟槽(2)中的栅沟槽(2a)的内部隔着栅绝缘膜(3a)设置有栅电位(G)的栅电极(4a)。在虚设沟槽(2b)的内部隔着虚设栅绝缘膜(3b)设置有发射电位(E)的虚设栅电极(4b)。在台面区(9)中的作为MOS栅起作用的第一台面区(9a)的表面区域的整个面设置有第一p型基区(5a)，在不作为MOS栅起作用的第二台面区(9b)沿第一方向(X)以预定的间隔(D1)选择性地设置有第二p型基区(5b)。台面区(9)的两侧的沟槽(2)中的至少一方为栅沟槽(2a)，MOS栅在栅沟槽(2a)的至少一方的侧壁侧进行驱动。据此，能够降低通态电压。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：多个沟槽，其从第一导电型的半导体基板的正面起算到达预定的深度，且沿与所述半导体基板的正面平行的第一方向配置为条纹状的布局；栅电极，其隔着栅绝缘膜设置在所述沟槽的内部；所述栅电极中对元件的控制起作用的第一栅电极；所述栅电极中除所述第一栅电极以外的第二栅电极；所述沟槽中设置了所述第一栅电极的第一沟槽；所述沟槽中设置了所述第二栅电极的第二沟槽；台面区，其夹在相邻的所述沟槽间；第二导电型的第一半导体区，其以从所述半导体基板的正面起算比所述沟槽浅的深度设置在作为所述台面区中的一部分的第一台面区的整个面；第二导电型的第二半导体区，其以从所述半导体基板的正面起算比所述沟槽浅的深度，且沿所述第一方向以预定的间隔设置在所述台面区中的除所述第一台面区以外的第二台面区；第一导电型的第三半导体区，其沿所述第一方向以预定的间隔设置在所述第一半导体区的内部；第二导电型的第四半导体区，其设置在所述半导体基板的背面；第一电极，其与所述第一半导体区、所述第二半导体区、所述第三半导体区和所述第二栅电极电连接；以及第二电极，其与所述第四半导体区电连接，所述第一台面区的两侧的所述沟槽中的至少一方为所述第一沟槽，所述第二台面区的两侧的所述沟槽中的至少一方为所述第二沟槽。