[发明专利]包括半绝缘氮化物半导体层的氮化物半导体基板的制造方法及利用该方法制造的氮化物半导体基板在审
| 申请号： | 201780026874.6 | 申请日： | 2017-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN109417020A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 李贤宰 | 申请（专利权）人： | 璐米斯塔尔有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/322;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 崔龙铉;赵赫 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括半绝缘氮化物半导体层的氮化物半导体基板的制造方法及通过该方法制造的氮化物半导体基板，并公开一种氮化物半导体基板的制造方法及通过该方法制造的氮化物半导体基板，该方法中，形成含有受体提供物质的调节层并执行热处理工艺之后生长氮化物层，从而通过相互扩散(inter‑diffusion)效果，在施主掺杂浓度高的氮化物层内扩散受体提供物质，以形成电阻特性被调节的半绝缘(Semi‑insulating)氮化物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物半导体基板 氮化物半导体层 半绝缘 制造 氮化物半导体 热处理工艺 生长氮化物 扩散 氮化物层 电阻特性 施主掺杂 调节层 | ||
【主权项】：
1.一种包括半绝缘氮化物半导体层的氮化物半导体基板的制造方法，其特征在于，包括：调节层形成步骤，在基板或氮化物层上部形成含有受体提供物质的调节层；受体纳米点形成步骤，对所述调节层执行热处理工艺，将所述调节层形成为分散分布的受体纳米点；以及半绝缘氮化物半导体层形成步骤，在所述受体纳米点分散分布的所述基板或氮化物层的上部生长氮化物层，并利用相互扩散效果使所述受体提供物质扩散，从而形成施主掺杂浓度被调节的半绝缘氮化物半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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