[发明专利]包括半绝缘氮化物半导体层的氮化物半导体基板的制造方法及利用该方法制造的氮化物半导体基板

权利要求书

1.一种包括半绝缘氮化物半导体层的氮化物半导体基板的制造方法，其特征在于，包括：

调节层形成步骤，在基板或氮化物层上部形成含有受体提供物质的调节层；

受体纳米点形成步骤，对所述调节层执行热处理工艺，将所述调节层形成为分散分布的受体纳米点；以及

半绝缘氮化物半导体层形成步骤，在所述受体纳米点分散分布的所述基板或氮化物层的上部生长氮化物层，并利用相互扩散效果使所述受体提供物质扩散，从而形成施主掺杂浓度被调节的半绝缘氮化物半导体层。

2.根据权利要求1所述的包括半绝缘氮化物半导体层的氮化物半导体基板的制造方法，其特征在于，

所述调节层形成步骤包括以下步骤：

在基板上生长第一氮化物层；以及

在所述第一氮化物层的上部，形成含有受体提供物质的调节层，

所述受体纳米点形成步骤中，对所述调节层执行热处理工艺，使所述受体提供物质扩散到所述第一氮化物层内部，从而施主掺杂浓度被调节，并且在所述第一氮化物层的上表面形成分散分布的受体纳米点，

所述半绝缘氮化物半导体层形成步骤中，在所述受体纳米点分散分布的第一氮化物层的上部生长第二氮化物层，随着所述受体提供物质的扩散，所述第一氮化物层和所述第二氮化物层的施主掺杂浓度被调节，从而形成所述第一氮化物层和所述第二氮化物层结合而形成的半绝缘氮化物半导体层。

3.根据权利要求1所述的包括半绝缘氮化物半导体层的氮化物半导体基板的制造方法，其特征在于，

所述调节层形成步骤中，在由氮化物形成的基板上部形成含有受体提供物质的调节层，

所述受体纳米点形成步骤中，对所述调节层执行热处理工艺，所述受体提供物质扩散到所述基板内部，从而施主掺杂浓度被调节，并且在所述基板的上表面形成分散分布的受体纳米点，

所述半绝缘氮化物半导体层形成步骤中，在所述受体纳米点分散分布的所述基板上部，以与所述基板相同的氮化物生长氮化物层，随着所述受体提供物质的扩散，所述基板和所述氮化物层的施主掺杂浓度被调节，从而形成所述基板的一部分和所述氮化物层结合而形成的半绝缘氮化物半导体层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的包括半绝缘氮化物半导体层的氮化物半导体基板的制造方法，其特征在于，

所述调节层形成步骤中，以第一范围的厚度形成调节层，

所述半绝缘氮化物半导体层形成步骤中，将所述调节层的厚度调节为所述第一范围的厚度，从而形成包括多个空隙的半绝缘氮化物半导体层，所述多个空隙由于所述受体纳米点的残留而沿着所述调节层所在的位置的界面形成。

5.根据权利要求4所述的包括半绝缘氮化物半导体层的氮化物半导体基板的制造方法，其特征在于，

所述第一范围为11nm至40nm的范围。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的包括半绝缘氮化物半导体层的氮化物半导体基板的制造方法，其特征在于，

所述调节层形成步骤中，以第二范围的厚度形成调节层，

所述半绝缘氮化物半导体层形成步骤中，将所述调节层的厚度调节为所述第二范围的厚度，从而形成所述受体纳米点由于所述受体提供物质的扩散而被去除的半绝缘氮化物半导体层。

7.根据权利要求6所述的包括半绝缘氮化物半导体层的氮化物半导体基板的制造方法，其特征在于，

所述第二范围为0.1nm至10nm的范围。