[发明专利]光电子半导体芯片有效
| 申请号： | 201780023767.8 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN109075227B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·F·普福伊费尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/46;H01L33/08;H01L33/32;H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;李建航 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种光电子半导体芯片(1)，具有：半导体本体(30)，所述半导体本体包括n型传导区域(301)、p型传导区域(302)和设置在n型传导区域(301)和p型传导区域(302)之间的有源区域(303)；第一镜(10)，所述第一镜包含第一金属性的层(101)；和p型金属化部(20)，所述p型金属化部能够形成第二镜并且包含第二金属性的层(201)，其中在光电子半导体芯片(1)运行时，第一镜(10)不处于与p型传导区域(302)相同的电势上，其中在光电子半导体芯片运行时，p型金属化部(20)处于与所述p型传导区域(302)相同的电势上，并且其中第一镜(10)具有至少一个开口，p型金属化部(20)通过所述开口与p型传导区域(302)导电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片具有：‑半导体本体(30)，所述半导体本体包括n型传导区域(301)、p型传导区域(302)和设置在所述n型传导区域(301)和所述p型传导区域(302)之间的有源区域(303)，‑第一镜(10)，所述第一镜包含第一金属性的层(101)，和‑p型金属化部(20)，所述p型金属化部包含第二金属性的层(201)，其中‑在所述半导体芯片(1)运行时，所述第一镜(10)不位于与所述p型传导区域(302)相同的电势上，‑在所述半导体芯片运行时，p型金属化部(20)位于与所述p型传导区域(302)相同的电势上，和‑所述第一镜(10)具有至少一个开口，所述p型金属化部(20)通过所述开口与所述p型传导区域(302)导电连接。
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