[发明专利]光半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780023645.9 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109075231B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 新关彰一;一仓启慈 | 申请（专利权）人： | 日机装株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/52;H01S5/0236;H01S5/023;H01L23/02 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立;应风晔 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
一种光半导体装置(10)的制造方法，包括：在含有氧(O |
||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在含有氧(O2)的第1气体气氛中，在收纳有光半导体元件的封装基板上夹着含有金锡(AuSn)的接合材料地载置具有透光性的盖体的工序，在通过从被载置在上述封装基板上的上述盖体上方施加负荷而进行预密封的状态下，为了使气氛中含有的氧浓度下降而将气氛气体更换成第2气体的工序，以及在更换成上述第2气体的工序开始后，对上述接合材料进行加热熔融，将上述封装基板与上述盖体之间接合的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日机装株式会社，未经日机装株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780023645.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
