[发明专利]半导体晶片有效
| 申请号： | 201780021775.9 | 申请日： | 2017-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN109075224B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 小幡俊之 | 申请（专利权）人： | 斯坦雷电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L21/205;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 南霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
【课题】本发明的目的在于，在以蓝宝石基板作为基底基板的情况下，利用不降低位错密度的方法提供输出较高的半导体晶片、最终从该半导体晶片可以得到的半导体芯片。【解决方法】本发明涉及一种半导体晶片，在蓝宝石基板的一个面上具有包括n型层、活性层及p型层的元件层，其特征在于，该元件层的表面翘曲成凸状，其曲率为530km |
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| 搜索关键词： | 半导体 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片，在蓝宝石基板的一个面上具有包括n型层、活性层及p型层的元件层，其特征在于，该元件层的表面翘曲成凸状，其曲率为530km‑1以上800km‑1以下。
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