[发明专利]带Ag基底层的金属部件、带Ag基底层的绝缘电路基板、半导体装置、带散热器的绝缘电路基板及带Ag基底层的金属部件的制造方法有效
| 申请号： | 201780019604.2 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108780784B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 西元修司;长友义幸 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/40 | 分类号： | H01L23/40;H01L23/12;H01L23/14;H01L23/36 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 朴圣洁;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的带Ag基底层的金属部件具备：与被接合体(3)接合的金属部件(12)；和形成于该金属部件(12)的与被接合体(3)的接合面的Ag基底层(30)，Ag基底层(30)由形成于金属部件(12)侧的玻璃层(31)和层压形成于该玻璃层(31)的Ag层(32)构成，Ag基底层(30)的Ag层(32)侧表面的空隙的面积率为25％以下。 | ||
| 搜索关键词： | ag 基底 金属 部件 绝缘 路基 半导体 装置 散热器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种带Ag基底层的金属部件，具备：与被接合体接合的金属部件；和形成于该金属部件的与所述被接合体的接合面的Ag基底层，其特征在于，所述Ag基底层由形成于所述金属部件侧的玻璃层和层压形成于该玻璃层的Ag层构成，所述Ag基底层的所述Ag层侧表面的空隙的面积率为25％以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱综合材料株式会社，未经三菱综合材料株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780019604.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：热传导性绝缘片、其制造方法、及中间层叠体
- 下一篇：混合微电子基底
