[发明专利]减轻存储器装置的偏置漂移的技术在审
| 申请号： | 201780014452.7 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108701485A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | R.耶亚辛格;N.N.加耶拉;M.J.陶布;K.潘加尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30;G11C16/08;G11C16/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;郑冀之 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 示例可包括减轻存储器装置的存储器单元的偏置漂移的技术。为写操作选择与第一字线和位线所耦合的第一存储器单元。为写操作解除选择与第二字线和位线所耦合的第二存储器单元。在写操作期间将第一和第二偏置电压施加到第一字线和位线，以对第一存储器单元进行编程。在写操作期间将第三偏置电压施加到第二字线，以降低或减轻由施加到位线的第二偏置电压引起的对第二存储器单元的电压偏置，以对第一存储器单元进行编程。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器单元 写操作 字线 偏置电压 位线 漂移 存储器装置 第二存储器 耦合的 施加 偏置 编程 电压偏置 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：第一存储器单元，所述第一存储器单元与第一字线和位线耦合，为写操作选择所述第一存储器单元；第二存储器单元，所述第二存储器单元与第二字线和所述位线耦合，为所述写操作解除选择所述第二存储器单元；第一字线电极，所述第一字线电极与所述第一字线耦合，以在所述写操作期间将第一偏置电压提供给所述第一存储器单元；位线电极，所述位线电极与所述位线耦合，以在所述写操作期间将第二偏置电压提供给所述第一存储器单元，所述第一和第二偏置电压使所述第一存储器单元被编程；以及第二字线电极，所述第二字线电极与所述第二字线耦合，以在所述写操作期间将第三偏置电压提供给所述第二存储器单元，以降低由施加到所述位线的所述第二偏置电压引起的对所述第二存储器单元的电压偏置，所述第三偏置电压小于所述第二偏置电压。
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