[发明专利]满足线边缘粗糙度及其他集成目的的等离子体处理方法有效
| 申请号： | 201780013040.1 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108780738B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 文·梁;阿基特若·高 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3065;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐京桥;姜婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种使用集成方案来使基板上的层图案化的方法，该方法包括：布置具有结构图案层、中性层以及底层的基板，结构图案层包括第一材料和第二材料；使用第一工艺气体混合物来执行第一处理工艺以形成第一图案，第一工艺气体包括CxHyFz和氩气的混合物；使用第二工艺气体混合物来执行第二处理工艺以形成第二图案，第二工艺气体包括低含氧气体和氩气的混合物；并行控制集成方案的选择的两个或更多个操作变量以便实现目标集成目的。 | ||
| 搜索关键词： | 满足 边缘 粗糙 其他 集成 目的 等离子体 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使用集成方案使基板上的层图案化的方法，所述方法包括：将基板布置在处理室中，所述基板具有结构图案层、中性层和底层，所述结构图案层包括第一材料和第二材料；使用第一工艺气体混合物来执行第一处理工艺，以在所述基板上形成第一图案，所述第一工艺气体包括CxHyFz和氩气的混合物；使用第二工艺气体混合物来执行第二处理工艺，以在所述基板上形成第二图案，所述第二工艺气体包括低含氧气体和氩气的混合物；并行控制所述集成方案的选择的两个或更多个操作变量，以便实现目标集成目的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780013040.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
