[发明专利]对每个存储器块中的多个NAND串具有公共位线的三维NAND存储器器件

摘要

通过提供漏极选择晶体管的两个对，两个垂直NAND串可以共享公共位线。含有漏极选择晶体管的邻接对的每个垂直NAND串的沟道并入到相应的垂直半导体沟道中，其邻接于连接到公共位线的相应的漏极区域。漏极选择晶体管在每个级别处具有不匹配的阈值电压，使得每个垂直NAND串包括相应的漏极选择晶体管比相同级别处的其他垂直NAND串的副本漏极选择晶体管具有更高的阈值电压的级别。通过导通四个漏极选择晶体管之中的三个漏极选择晶体管，可以仅激活一个垂直NAND串，而将公共位线偏置在适当的偏置电压处。可以仅在激活的NAND串上进行编程操作或读取操作。

主权项

1.一种存储器器件，包括：绝缘层和导电层的交替的堆叠体，所述堆叠体位于衬底之上；第一垂直NAND串，所述第一垂直NAND串延伸穿过所述交替的堆叠体，所述第一垂直NAND串包括第一漏极区域和与第一漏极选择晶体管和第二漏极选择晶体管串联连接的第一存储器单元电荷储存晶体管；第二垂直NAND串，所述第二垂直NAND串延伸穿过所述交替的堆叠体，所述第二垂直NAND串包括第二漏极区域和与第三漏极选择晶体管和第四漏极选择晶体管串联连接的第二存储器单元电荷储存晶体管；以及公共位线，所述公共位线电连接到所述第一漏极区域和所述第二漏极区域，其中所述第一垂直NAND串和所述第二垂直NAND串位于相同的存储器块中。