[发明专利]半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法有效
| 申请号： | 201780001095.0 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107980171B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 张乃千;潘盼 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 李丙林;王晖 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体芯片(10)、半导体晶圆(1)及半导体晶圆的制造方法。半导体芯片包括：基底(11)、设置于基底一侧的器件(12)、贯穿基底的通孔(13)、填充于通孔并与器件接触的导电材料(14)以及设置于基底远离器件的另一侧的背面金属层(15)，背面金属层与导电材料接触以通过导电材料与器件电性连接。提供的半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法减少了器件的接地电阻，并改善了有通孔结构的器件在工作状态下的散热问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片，包括:基底；设置于所述基底一侧的器件；贯穿所述基底的通孔；填充于所述通孔并与所述器件接触的导电材料；设置于所述基底远离所述器件的另一侧的背面金属层，所述背面金属层与所述导电材料接触以通过所述导电材料与所述器件电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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