[发明专利]用于半导体腔室的泵系统在审
申请号: | 201780000711.0 | 申请日: | 2017-06-13 |
公开(公告)号: | CN109155232A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 李仁喆 | 申请(专利权)人: | 普兰有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;F04C18/08 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种用于半导体腔室的泵系统,所述泵系统用于半导体制造工艺中,从而产生半导体腔室中的真空状态、排出半导体腔室中产生的气体或者将腔室的内部维持于合适的压力。在泵系统中,外部管路连接在包含于泵中的罗茨式转子部段和螺杆式转子部段之间以用于调节工艺腔室的内部环境,而在罗茨式转子部段和螺杆式转子部段之间的管路上设置包括加热器、冷却器或其组合的加热/冷却单元,从而加热或冷却从罗茨式转子流动向螺杆式转子的气体,由此避免转子中粉末副产物的积累和因此造成的转子损坏,从而有助于改进转子的工作性能和耐久性。此外,在泵系统中,监控连接罗茨式转子部段和螺杆式转子部段的流体管路的内部温度,从而可以根据流体管路的内部温度来选择性地进行加热控制或冷却控制,因此能够控制泵以提供适合各个腔室的特性的最佳温度,且由此能够经济地操作泵系统。此外,特别地对于连接罗茨式转子部段和螺杆式转子部段的小直径(18~25mm)流体管路设置用于引发等离子体反应的小规模等离子体单元,从而实现能够有效分解和处理流动通过流体管路的气体的副产物气体处理系统,因此改进副产物气体的分解效率和处理效率并且获得改进的泵的性能和耐久性。 | ||
搜索关键词: | 泵系统 腔室 螺杆式转子 罗茨式 流体管路 转子部段 部段 半导体 转子 副产物气体 半导体制造工艺 加热/冷却单元 等离子体单元 等离子体反应 加热器 分解 改进 处理系统 处理效率 工艺腔室 工作性能 加热控制 冷却控制 内部环境 外部管路 真空状态 转子损坏 副产物 控制泵 冷却器 中粉末 排出 加热 流动 冷却 监控 积累 | ||
【主权项】:
1.一种用于半导体腔室的泵系统,所述泵系统包括:壳体(14),其具有前腔室(11)和后腔室(13),所述前腔室(11)具有流体入口(10),所述后腔室(13)具有流体出口(12);流体入口侧转子,其设置于壳体(14)的前腔室(11);流体出口侧转子,其设置于壳体(14)的后腔室(13)轴构件(17),其作为旋转轴线而联接通过流体入口侧转子和流体出口侧转子;以及驱动电机(18),其设置于壳体(14)外部的一侧,从而沿轴向连接至轴构件(17),以提供用于驱动流体入口侧转子和流体出口侧转子的动力,其中,流体管路(19)连接在容纳流体入口侧转子的前腔室(11)和容纳流体出口侧转子的后腔室(13)之间,其中,流体管路(19)设置有加热器(20)、冷却器(21)或加热器(20)和冷却器(21)的组合,从而加热或冷却流动通过流体管路(19)的流体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造