[实用新型]一种使用BN溅射模板的正装深紫外LED元器件有效
| 申请号： | 201721870620.6 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN207993887U | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 段瑞飞;王晓东;陈皓;曾一平 | 申请（专利权）人： | 北京中科优唯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 100176 北京市经济技术*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本专利公开了一种使用BN溅射模板的正装深紫外LED元器件，包括：衬底，所述衬底是LED芯片的基底，其上形成各LED的工作层，缓冲层，设置在所述衬底上，用于形成应力缓冲；n型层，形成在所述缓冲层上，作为LED元器件的负极；多量子阱有源层，在通电状态下产生200纳米至350纳米的深紫外光；BN溅射模板层，作为所述LED元器件的正极；所述BN溅射模板层形成在所述多量子阱有源层上，通过溅射的方式成型，所述深紫外光从溅射模板层向外发光。通过构建N型层、有源层、BN溅射模板层作为深紫外发光二极管的结构，这种结构下能够通过作为正极的BN溅射模板层向外透光，使得深紫外LED能够正装，扩大了应用的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 模板层 深紫外LED 衬底 正装 多量子阱有源层 正极 深紫外光 缓冲层 元器件 深紫外发光二极管 通电状态 应力缓冲 负极 工作层 透光 构建 基底 源层 成型 发光 应用 | ||
【主权项】：
1.一种使用BN溅射模板的正装深紫外LED元器件，包括：衬底，所述衬底是LED芯片的基底，其上形成各LED的工作层，缓冲层，设置在所述衬底上，用于形成应力缓冲；n型层，形成在所述缓冲层上，作为LED元器件的负极；其特征在于，所述LED元器件还包括：多量子阱有源层，形成在所述n型层上，通电状态下产生200纳米至350纳米的深紫外光；BN溅射模板层，形成在所述多量子阱有源层上，作为所述LED元器件的正极；所述BN溅射模板通过溅射的方式成型，所述深紫外光从溅射模板层向外发光。
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