[实用新型]一种使用BN溅射模板的正装深紫外LED元器件

说明书

本专利公开了一种使用BN溅射模板的正装深紫外LED元器件，包括：衬底，所述衬底是LED芯片的基底，其上形成各LED的工作层，缓冲层，设置在所述衬底上，用于形成应力缓冲；n型层，形成在所述缓冲层上，作为LED元器件的负极；多量子阱有源层，在通电状态下产生200纳米至350纳米的深紫外光；BN溅射模板层，作为所述LED元器件的正极；所述BN溅射模板层形成在所述多量子阱有源层上，通过溅射的方式成型，所述深紫外光从溅射模板层向外发光。通过构建N型层、有源层、BN溅射模板层作为深紫外发光二极管的结构，这种结构下能够通过作为正极的BN溅射模板层向外透光，使得深紫外LED能够正装，扩大了应用的范围。

技术领域

本专利涉及用于半导体技术领域。特别地，涉及一种使用BN溅射模板的正装LED元器件。

背景技术

LED元器件已经广泛应用在现有技术的各个领域。在半导体领域中,LED元器件可以用于照明、通信、医疗、检测等各个方面，已经得到了现有技术的广泛认可。

现有技术中的LED元器件都是采用半导体材料制作，其全称为发光二极管。在发光二极管中，深紫外发光二极管在近年来已经得到人们的重视。深紫外LED的发光二极管在现有技术中是指发射波长在200纳米至350纳米的光线的LED元器件。

但是，在半导体LED芯片的制作中，通常需要在基底上沉积相应的半导体材料层，由于在现有技术中LED芯片的设计并不合理，其每一层的制作需要极高的精度，因此现有技术中深紫外LED芯片的成本和产能已经成为其应用的巨大阻碍。此外,现有技术中的深紫外LED芯片由于其结构原因，通常只能设计成倒装，即光线从所述LED芯片的基底一侧射出，这在一定程度上影响了其制造的难度和应用的场所。

发明内容

本专利正是基于现有技术的上述需求的提出的，本专利要解决的技术问题是提供一种使用BN溅射模板的正装深紫外LED元器件，通过结构的设计提高其生产的容易程度。

为了解决该技术问题，本专利提供的技术方案包括：

一种使用BN溅射模板的正装深紫外LED元器件，包括：衬底，所述衬底是LED芯片的基底，其上形成各LED的工作层，缓冲层，设置在所述衬底上，用于形成应力缓冲； n型层，形成在所述缓冲层上，作为LED元器件的负极；所述LED元器件还包括多量子阱有源层，在通电状态下产生200纳米至350纳米的深紫外光；BN溅射模板层，作为所述LED元器件的正极；所述BN溅射模板层形成在所述多量子阱有源层上，通过溅射的方式成型，所述深紫外光从溅射模板层向外发光。

本专利通过构建N型层、有源层、BN溅射模板层作为深紫外发光二极管的结构，这种结构下能够通过作为正极的BN溅射模板层向外透光，使得深紫外LED能够正装，扩大了应用的范围，并且采用溅射模板层，能够采用现有技术大量制造深紫外LED芯片，降低了制造难度。

附图说明

图1为本专利中提出的一种使用BN溅射模板的正装深紫外LED元器件。

具体实施方式

下面结合附图对本专利的具体实施方式进行详细说明，需要指出的是，该具体实施方式仅仅是对本专利优选技术方案的举例，并不能理解为对本专利保护范围的限制。

如图1所示，本具体实施方式中提供了一种使用BN溅射模板的正装深紫外LED元器件。所述元件包括衬底1、缓冲层2，n型层3，多量子阱有源层4。

所述衬底1，所述基底衬底可以是蓝宝石衬底、Si衬底或石英衬底。所述基底衬底是深紫外LED芯片的基础，在所述基底衬底上生长各种功能层，从而形成所述深紫外LED 芯片。此外，还可以采用诸如β-Ga₂O₃基板等其他适于做基板的材料。