[实用新型]半导体存储器件结构

摘要

本实用新型提供一种半导体存储器件结构，包括半导体衬底、字线结构及接触结构，半导体衬底包括有源区及沟槽隔离结构，字线结构形成于所述导体衬底中与有源区交叉，任一字线结构的一端具有长端尾部，其另一端具有短端尾部，且相邻的两所述字线结构的长端尾部与短端尾部呈交错排布，接触结构形成于字线结构的长端尾部，以实现字线结构的电引出。本实用新型通过对字线沟槽的掩膜设计，制备出尾部呈长短错落排布的字线结构，不需要增大接触结构整体区域所占面积，便可增大接触结构的制作窗口，避免接触结构导致的相邻字线结构的短路。本实用新型不需要对字线结构的尾部做弯曲处理，降低了工艺复杂性并降低了接触结构的定位难度。

主权项

1.一种半导体存储器件结构，其特征在于，包括：半导体衬底，包括有源区及沟槽隔离结构，所述有源区由所述沟槽隔离结构隔离；字线结构，形成于所述半导体衬底中与所述有源区交叉，相对于所述有源区的配置数组区，任一所述字线结构的一端具有长端尾部，其另一端具有短端尾部，且相邻的两所述字线结构的所述长端尾部与所述短端尾部呈交错排布；以及接触结构，形成于所述字线结构的所述长端尾部，以实现所述字线结构的电引出。