[实用新型]半导体存储器件结构

说明书

本实用新型提供一种半导体存储器件结构，包括半导体衬底、字线结构及接触结构，半导体衬底包括有源区及沟槽隔离结构，字线结构形成于所述导体衬底中与有源区交叉，任一字线结构的一端具有长端尾部，其另一端具有短端尾部，且相邻的两所述字线结构的长端尾部与短端尾部呈交错排布，接触结构形成于字线结构的长端尾部，以实现字线结构的电引出。本实用新型通过对字线沟槽的掩膜设计，制备出尾部呈长短错落排布的字线结构，不需要增大接触结构整体区域所占面积，便可增大接触结构的制作窗口，避免接触结构导致的相邻字线结构的短路。本实用新型不需要对字线结构的尾部做弯曲处理，降低了工艺复杂性并降低了接触结构的定位难度。

技术领域

本实用新型属于半导体设计及制造领域，特别是涉及一种半导体存储器件结构及其制作方法。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称：DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器10和晶体管11；晶体管11的栅极与字线13相连、漏极与位线12相连、源极与电容器10相连；字线13上的电压信号能够控制晶体管11的打开或关闭，进而通过位线12读取存储在电容器10中的数据信息，或者通过位线12将数据信息写入到电容器10中进行存储，如图1所示。

如图4所示，字线(Word line)的图案通常是利用间距倍增工艺(Pitch Doubling)的方法制备，由于制程的限制，一对字线(Word line)101的尾端会连接成环状的结构108，这种结构会造成一对字线(Word line)101的短路，所以后续制程需要将字线(Word line)101尾端切断，如图5所示。

如图2～3及图6所示，切段后的字线(Word line)101需要字线驱动器(Word lineDriver)104来实现驱动，因此需要在字线(Word line)101和字线驱动器(Word lineDriver)104之间加上接触结构(contact)103来实现连接，字线驱动器(Word line Driver)104与字线译码电路105相连，位线(Bit line)102与字线(Word line)101交叉，且连接于位线译码电路106，其中，字线(Word line)101的漏极与电容器107相连，如图3所示。现有技术是将接触结构(contact)103以对称的方式置，如图6所示。

上述方案具有以下缺点：

第一，接触结构(contact)103的制作窗口较小，容易导致相邻两字线(Word line)101之间的短路；

第二，字线(Word line)101制作接触结构(contact)103的连线部位需要做弯曲处理，提高了工艺的复杂性，以及接触结构(contact)103定位的难度。

基于以上所述，提供一种可以有效增大相邻字线接触结构的窗口，且工艺简单，接触结构(contact)103定位的难度较低的半导体存储器件结构及其制作方法实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种半导体存储器件结构及其制作方法，用于解决现有技术中相邻字线接触结构的窗口较小、工艺复杂、接触结构定位困难等问题。