[实用新型]半导体存储器件结构有效
| 申请号： | 201721855393.X | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN207938611U | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 字线结构 接触结构 本实用新型 长端 衬底 半导体存储器件 短端 排布 源区 半导体 沟槽隔离结构 工艺复杂性 定位难度 弯曲处理 掩膜设计 整体区域 导体 线沟槽 线结构 一字线 短路 错落 制备 制作 | ||
1.一种半导体存储器件结构，其特征在于，包括：
半导体衬底，包括有源区及沟槽隔离结构，所述有源区由所述沟槽隔离结构隔离；
字线结构，形成于所述半导体衬底中与所述有源区交叉，相对于所述有源区的配置数组区，任一所述字线结构的一端具有长端尾部，其另一端具有短端尾部，且相邻的两所述字线结构的所述长端尾部与所述短端尾部呈交错排布；以及
接触结构，形成于所述字线结构的所述长端尾部，以实现所述字线结构的电引出。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件结构，其特征在于：所述字线结构呈直线型延伸，以提高所述接触结构的定位精度。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件结构，其特征在于：所述字线结构的所述长端尾部的长度介于20纳米～200纳米之间。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件结构，其特征在于：所述半导体衬底中形成有字线沟槽，所述字线结构包括：
第一介质层，形成于所述字线沟槽的底部及侧壁；
导电材料层，填充于所述字线沟槽中，所述导电材料层的顶面低于所述半导体衬底的顶面，以形成凹槽；以及
第二介质层，填充于所述凹槽中，以掩埋所述导电材料层。
5.根据权利要求4所述的半导体存储器件结构，其特征在于：所述接触结构包括：
接触窗，形成于所述半导体衬底中，所述接触窗显露所述字线结构的所述长端尾部中的所述导电材料层；
粘附层，形成于所述接触窗的底部及侧壁；以及
金属层，填充于所述接触窗中。
6.根据权利要求1～5任一项所述的半导体存储器件结构，其特征在于：所述接触结构的长度不大于所述字线结构的所述长端尾部的长度，所述接触结构的长度介于20纳米～200纳米之间，所述接触结构的宽度介于10纳米～70纳米之间。
7.根据权利要求6所述的半导体存储器件结构，其特征在于：还包括一字线驱动电路，所述字线驱动电路通过所述接触结构与所述字线结构连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于睿力集成电路有限公司，未经睿力集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721855393.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
