[实用新型]一种锥形槽面硅二极管及其芯片有效
| 申请号： | 201721806336.2 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN207572371U | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 陈福元;胡煜涛;毛建军;任亮;苏云清;虞旭俊 | 申请（专利权）人： | 杭州赛晶电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 傅朝栋;张法高 |
| 地址： | 310000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种锥形槽面硅二极管及其芯片，属于半导体器件制造领域。该二极管的芯片由上到下分别为金属层、P+型杂质扩散层、N‑型原始硅单晶层、N+型杂质扩散层、金属层；硅芯侧面为垂直PN结台面。芯片表面呈网格状分布有若干锥形槽；每个锥形槽处，P+型杂质扩散层向下凹陷形成倒正四棱锥面，且芯片不同位置处的P+型杂质扩散层厚度相同。本实用新型的硅二极管的优点是：硅芯电流容量大，工艺简化，易于规模化生产，产品性价比高。 | ||
| 搜索关键词： | 杂质扩散层 锥形槽 硅二极管 芯片 本实用新型 金属层 硅芯 半导体器件制造 产品性价比 规模化生产 网格状分布 二极管 电流容量 工艺简化 四棱锥面 向下凹陷 芯片表面 由上到下 硅单晶 位置处 倒正 垂直 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种锥形槽面硅二极管芯片，其特征在于，由上到下分别为金属层、P+型杂质扩散层、N‑型原始硅单晶层、N+型杂质扩散层、金属层；硅芯侧面为垂直PN结台面；芯片表面呈网格状分布有若干锥形槽；每个锥形槽处，P+型杂质扩散层向下凹陷形成倒正四棱锥面，且芯片不同位置处的P+型杂质扩散层厚度均匀。
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