[实用新型]一种锥形槽面硅二极管及其芯片有效
| 申请号： | 201721806336.2 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN207572371U | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 陈福元;胡煜涛;毛建军;任亮;苏云清;虞旭俊 | 申请（专利权）人： | 杭州赛晶电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 傅朝栋;张法高 |
| 地址： | 310000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 杂质扩散层 锥形槽 硅二极管 芯片 本实用新型 金属层 硅芯 半导体器件制造 产品性价比 规模化生产 网格状分布 二极管 电流容量 工艺简化 四棱锥面 向下凹陷 芯片表面 由上到下 硅单晶 位置处 倒正 垂直 侧面 | ||
【权利要求书】：
1.一种锥形槽面硅二极管芯片，其特征在于，由上到下分别为金属层、P+型杂质扩散层、N-型原始硅单晶层、N+型杂质扩散层、金属层；硅芯侧面为垂直PN结台面；芯片表面呈网格状分布有若干锥形槽；每个锥形槽处，P+型杂质扩散层向下凹陷形成倒正四棱锥面，且芯片不同位置处的P+型杂质扩散层厚度均匀。
2.如权利要求1所述的锥形槽面硅二极管芯片，其特征在于，所述的金属层为Ni层或Al层。
3.如权利要求1所述的锥形槽面硅二极管芯片，其特征在于，所述的金属层为Ni层，通过电镀方式分别镀于P+型杂质扩散层、N+型杂质扩散层表面。
4.如权利要求1所述的锥形槽面硅二极管芯片，其特征在于，所述的锥形槽的上部窗口呈方形。
5.如权利要求1所述的锥形槽面硅二极管芯片，其特征在于，所述的锥形槽是在(100)晶面硅单晶片上，由各向异性择优碱性化学腐蚀获得。
6.如权利要求1所述的锥形槽面硅二极管芯片，其特征在于，锥形槽面与硅芯表平面的夹角∠Q＝54.7°。
7.如权利要求1所述的锥形槽面硅二极管芯片，其特征在于，除N-型原始硅单晶层以外的其他两个杂质扩散层，分别由P型和N型两种半导体杂质在开设锥形槽后的硅片正、反两面上扩散得到。
8.一种锥形槽面芯片硅二极管，其特征在于，其芯片采用如权利要求1～7任一所述的二极管芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州赛晶电子有限公司，未经杭州赛晶电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721806336.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
