[实用新型]用于系统级封装的硅通孔转接板有效
| 申请号： | 201721776522.6 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN208208751U | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张捷 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/60;H01L27/02;H01L23/367;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于系统级封装的硅通孔转接板，包括：Si衬底(101)；多个横向二极管(102)，设置于所述Si衬底(101)内；隔离区(103)，设置于每个所述横向二极管(102)的两侧以在相邻两个隔离区之间形成器件区；TSV区(104)，设置于由所述器件区和所述隔离区形成区域的两侧；互连线(105)，对所述TSV区(104)的第一端面和所述横向二极管(102)进行串行连接；其中，所述隔离区(103)和所述TSV区(104)均上下贯通所述Si衬底(101)。本实用新型提供的硅通孔转接板通过在硅通孔转接板上加工二极管作为ESD防护器件，解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题，增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离区 硅通孔 横向二极管 转接板 衬底 集成电路系统 抗静电能力 系统级封装 器件区 封装 本实用新型 二极管 串行连接 上下贯通 转接 互连线 加工 | ||
【主权项】：
1.一种用于系统级封装的硅通孔转接板，其特征在于，包括：Si衬底(101)；多个横向二极管(102)，设置于所述Si衬底(101)内；隔离区(103)，设置于每个所述横向二极管(102)的两侧以在相邻两个隔离区之间形成器件区；所述隔离区(103)内的材料为SiO2或未掺杂多晶硅；TSV区(104)，设置于由所述器件区和所述隔离区(103)形成区域的两侧；互连线(105)，对所述TSV区(104)的第一端面和所述横向二极管(102)进行串行连接；其中，所述隔离区(103)和所述TSV区(104)均上下贯通所述Si衬底(101)。
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