[实用新型]用于系统级封装的硅通孔转接板有效
| 申请号： | 201721776522.6 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN208208751U | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张捷 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/60;H01L27/02;H01L23/367;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔离区 硅通孔 横向二极管 转接板 衬底 集成电路系统 抗静电能力 系统级封装 器件区 封装 本实用新型 二极管 串行连接 上下贯通 转接 互连线 加工 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于系统级封装的硅通孔转接板，其特征在于，包括：
Si衬底(101)；
多个横向二极管(102)，设置于所述Si衬底(101)内；
隔离区(103)，设置于每个所述横向二极管(102)的两侧以在相邻两个隔离区之间形成器件区；所述隔离区(103)内的材料为SiO2或未掺杂多晶硅；
TSV区(104)，设置于由所述器件区和所述隔离区(103)形成区域的两侧；
互连线(105)，对所述TSV区(104)的第一端面和所述横向二极管(102)进行串行连接；
其中，所述隔离区(103)和所述TSV区(104)均上下贯通所述Si衬底(101)。
2.根据权利要求1所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述横向二极管(102)与互连线(105)之间设置有钨插塞(106)。
3.根据权利要求1所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述TSV区(104)内的填充材料为铜。
4.根据权利要求1所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述TSV区(104)的第二端面上设置铜凸点(107)。
5.根据权利要求1所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述隔离区(103)和所述TSV区(104)的深度为40～80μm。
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