[实用新型]基于BJT的系统级封装抗静电转接板有效
| 申请号： | 201721776307.6 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN208422908U | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L23/538;H01L27/02 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种基于BJT的系统级封装抗静电转接板100，其特征在于，包括：硅基衬底101、第一TSV孔102、第二TSV孔103、第一BJT104、第二BJT105、隔离沟槽106、金属互连线107、凸点108及钝化层109；所述第一TSV孔102、第一BJT104、第二TSV孔103及第二BJT105沿横向依次间隔地设置于所述硅基衬底101中；所述隔离沟槽106分别设置于所述第一BJT104与第二BJT105四周；所述金属互连线107设置于所述第一TSV孔102、第一BJT104、第二TSV孔103及第二BJT105表面以使所述第一TSV孔102、第一BJT104、第二TSV孔103及第二BJT105形成串行连接；所述凸点108设置于所述第一TSV孔102与所述第二BJT105下表面；所述钝化层109设置于所述硅基衬底101上下表面。本实用新型提供的基于BJT的系统级封装抗静电转接板，增强了层叠封装芯片的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 系统级封装 硅基衬 抗静电 金属互连线 隔离沟槽 钝化层 转接板 凸点 本实用新型 抗静电能力 层叠封装 串行连接 上下表面 转接 下表面 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种基于BJT的系统级封装抗静电转接板(100)，其特征在于，包括：硅基衬底(101)、第一TSV孔(102)、第二TSV孔(103)、第一BJT(104)、第二BJT(105)、隔离沟槽(106)、金属互连线(107)、凸点(108)及钝化层(109)；所述第一TSV孔(102)、第一BJT(104)、第二TSV孔(103)及第二BJT(105)沿横向依次间隔地设置于所述硅基衬底(101)中，其中，所述第一TSV孔(102)与第二TSV孔(103)中填充铜材料；所述隔离沟槽(106)分别设置于所述第一BJT(104)与第二BJT(105)四周；所述金属互连线(107)设置于所述第一TSV孔(102)、第一BJT(104)、第二TSV孔(103)及第二BJT(105)表面以使所述第一TSV孔(102)、第一BJT(104)、第二TSV孔(103)及第二BJT(105)形成串行连接；所述凸点(108)设置于所述第一TSV孔(102)与所述第二BJT(105)下表面；所述钝化层(109)设置于所述硅基衬底(101)上下表面。
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