[实用新型]晶体管及存储单元阵列

摘要

本实用新型提供一种晶体管及存储单元阵列，包括：半导体衬底，具有有源区，于沟槽结构形成于半导体衬底内；埋入式栅极字线结构，位于沟槽结构中，埋入式栅极字线结构包括：栅氧化层，位于沟槽结构的底部和侧壁；第一导电层，位于栅氧化层的底部和局部侧壁；第二导电层，第二导电层包括填充于沟槽结构的下部内且表面覆盖第一导电层的填充部以及位于填充部上的凸起部，其中，凸起部的顶端高于第一导电层的顶端且低于半导体衬底的上表面，凸起部的任一长度向外侧壁与栅氧化层之间的间距占沟槽结构在相同宽度向截面下的开口尺寸的1%~50%。本实用新型提高了栅极字线的高度，减小了栅极字线的电阻，从而减少了器件的访问时间。

主权项

1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：半导体衬底，具有有源区，于沟槽结构形成于所述半导体衬底内，所述沟槽结构穿过所述有源区；以及，埋入式栅极字线结构，位于所述沟槽结构中，所述埋入式栅极字线结构包括：栅氧化层，位于所述沟槽结构的底部和侧壁；第一导电层，位于所述栅氧化层的底部和局部侧壁，且所述第一导电层的顶端低于所述半导体衬底的上表面；以及，第二导电层，所述第二导电层包括填充于所述沟槽结构的下部内且表面覆盖所述第一导电层的填充部以及位于所述填充部上的凸起部，其中，所述凸起部的顶端高于所述第一导电层的顶端且低于所述半导体衬底的上表面，所述凸起部的任一长度向外侧壁与所述栅氧化层之间具有间距，占所述沟槽结构在相同宽度向截面下的开口尺寸的1％～50％。