[实用新型]一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板

摘要

本实用新型公开了一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板，包括：底座和盖板。所述底座包括容置凹槽，所述容置凹槽用于容置HIBC电池中待沉积异质结非晶硅层的基底。所述盖板覆设在所述底座上，所述盖板上设置有露出所述容置凹槽的开口，开口上设置有多个间隔排列的遮挡件，遮挡件将开口划分为交错间隔的遮挡区和开口区。在制备P区时，遮挡区用于遮挡P区和所述N区的间隔区域以及N区；在制备N区时，遮挡区用于遮挡P区和N区的间隔区域以及P区。所述掩膜板可避免对其他工序生成的非晶硅层的特性产生影响，起到保护已生成的非晶硅层的作用；而且所述掩膜板结构简易，操作难度低，有利于提高生产效率。

主权项

1.一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板，所述异质结非晶硅层(4)包括呈叉指状排列的P区(41)和N区(42)，其特征在于，所述掩膜板(100)包括：底座(1)，所述底座(1)包括容置凹槽(10)，所述容置凹槽(10)用于容置待沉积所述异质结非晶硅层(4)的基底(40)；盖板(2)，所述盖板(2)覆设在所述底座(1)上，所述盖板(2)上设置有暴露出所述容置凹槽(10)的开口(20)，所述开口(20)上设置有多个间隔排列的遮挡件(21)，所述遮挡件(21)将所述开口(20)划分为交错间隔的遮挡区(210)和开口区(220)；在制备所述P区(41)时，所述遮挡区(210)用于遮挡所述P区(41)和所述N区(42)的间隔区域以及所述N区(42)；在制备所述N区(42)时，所述遮挡区(210)用于遮挡所述P区(41)和所述N区(42)的间隔区域以及所述P区(41)。