[实用新型]一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板

说明书

本实用新型公开了一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板，包括：底座和盖板。所述底座包括容置凹槽，所述容置凹槽用于容置HIBC电池中待沉积异质结非晶硅层的基底。所述盖板覆设在所述底座上，所述盖板上设置有露出所述容置凹槽的开口，开口上设置有多个间隔排列的遮挡件，遮挡件将开口划分为交错间隔的遮挡区和开口区。在制备P区时，遮挡区用于遮挡P区和所述N区的间隔区域以及N区；在制备N区时，遮挡区用于遮挡P区和N区的间隔区域以及P区。所述掩膜板可避免对其他工序生成的非晶硅层的特性产生影响，起到保护已生成的非晶硅层的作用；而且所述掩膜板结构简易，操作难度低，有利于提高生产效率。

技术领域

本实用新型涉及太阳能光伏技术领域，尤其是一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板。

背景技术

HIBC电池(Hetero-junction Back Contact Cell，异质结背接触耦合电池)是将HIT技术运用于IBC结构的太阳能电池。HIBC电池与HIT电池相比最大的特点是HIBC电池的前表面没有栅线和电极，极大地降低了栅线和电极对太阳光的遮挡而造成光损失，确保了HIBC电池具有高的短路电流(Isc)和高的填充因子(FF)。在HIBC电池的硅衬底的正面先生长一个钝化层，再沉积SiNx减反膜降低反射率；背面则先沉积一层本征非晶硅层，再沉积呈指状交叉分布的N型非晶硅层和P型非晶硅层，最后用金属化工艺制备HIBC电池背面的正、负电极。

目前要制备叉指状分布的N型非晶硅层和P型非晶硅层，主要包括激光刻蚀和在掩膜保护下采用离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)等沉积工艺进行沉积这两种方案。激光刻蚀工艺后需要进行蒸镀电极和高温退火工艺，对HIBC电池的非晶硅层的性能具有一定影响，因此采用沉积工艺制备叉指状分布的N型非晶硅层和P型非晶硅层更有利于提升HIBC电池的性能。由此，有必要提出一种掩膜板用于制备叉指状分布的N型非晶硅层和P型非晶硅层。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板，来解决上述问题。

为了实现上述的目的，本实用新型采用了如下的技术方案：

一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板，所述异质结非晶硅层包括呈叉指状排列的P区和N区。所述掩膜板包括底座和盖板，所述底座包括容置凹槽，所述容置凹槽用于容置待沉积所述异质结非晶硅层的基底。所述盖板覆设在所述底座上，所述盖板上设置有暴露出所述容置凹槽的开口，所述开口上设置有多个间隔排列的遮挡件，所述遮挡件将所述开口划分为交错间隔的遮挡区和开口区。在制备所述P区时，所述遮挡区用于遮挡所述N区以及所述P区和所述N区的间隔区域。在制备所述N区时，所述遮挡区用于遮挡所述P区以及所述P区和所述N区的间隔区域。

优选地，所述遮挡件可拆卸地连接在所述盖板上。

优选地，所述遮挡件与所述盖板为一体成型。

优选地，所述盖板可拆卸地连接在所述底座上。

优选地，所述底座上设置有定位销，所述盖板还包括定位孔，所述定位销用于通过插接于所述定位孔内，将所述盖板固定到所述底座上。

优选地，所述定位孔为长孔，所述定位销可沿所述定位孔的孔内长度方向上进行平动。

优选地，所述定位销的数目为多个，多个所述定位销分别设置于所述底座的各个边沿的中心线上。

优选地，所述底座上设置有与所述容置凹槽连通的缺口。

优选地，所述底座为铝合金底座或钛合金底座。