[实用新型]一种用于MOSFET的保护电路

摘要

本申请公开了一种用于MOSFET的保护电路，其包括稳压电路S1、延迟电路S2与补能电路S3，其中稳压电路S1包括稳压二极管D1。使用中，关闭MOSFET Q3的起始时刻，若MOSFET Q3的VDS电压超过稳压电压，则稳压二极管D1导通，进而使延迟电路S2与补能电路S3均导通。延迟电路S2导通，使MOSFET Q2的G极的电压降低，从而延迟MOSFET Q3关闭。补能电路S3导通，使MOSFET Q3的G极的在短时间仍处于导通状态，从而延迟MOSFET Q3关闭。延迟MOSFET Q3的关闭动作，即可减缓MOSFET Q3的开关速度，使反向感应电压减小，进而降低了MOSFET Q3承受过电压的风险。

主权项

一种用于MOSFET的保护电路，其特征在于，所述电路包括串联的稳压电路S1与延迟电路S2，其中所述稳压电路S1包括稳压二极管D1，所述稳压二极管D1的负极用于连接MOSFET Q3的D极，所述稳压二极管D1的正极连接所述延迟电路S2的一端；所述延迟电路S2的另一端连接MOSFET Q2的G极，当关闭MOSFET Q3时，若MOSFETQ3的D极与S极之间的电压VDS超过所述稳压二极管D1的稳压电压，则所述稳压二极管D1导通，带动所述延迟电路S2导通，使MOSFET Q2的G极的电压降低，从而使MOSFET Q2延迟对MOSFET Q1的关闭动作。