[实用新型]一种用于MOSFET的保护电路

说明书

技术领域

本申请涉及MOSFET保护领域，尤其涉及一种用于MOSFET的保护电路。

背景技术

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化物半导体场效应晶体管)是一种场效晶体管，目前已被广泛应用做电流放大器或开关控制器。例如，放大器是利用MOSFET可放大电流性能而实现的器件。

图1为一种开关放大器的电路图，如图1所示，开关放大器内包含多个MOSFET，其中，MOSFET Q3用于放大电流；MOSFET Q1与MOSFET Q2组成推挽式开关，用于控制MOSFET Q3的开启或关闭。该开关放大器的使用过程包括：当驱动信号MOS Driver为低电压时，MOSFET Q1导通，从而使MOSFET Q3开启；当驱动信号MOS Driver为高电压时，MOSFET Q2导通，从而使MOSFET Q3关闭。

在使用过程中，快速关闭MOSFET Q3时，电路中的寄生电感L将产生一个较大的反向感应电压，该反向感应电压与电源电压共同作用在MOSFET Q3的D极与S极的两端。当MOSFET Q3的D极与S极两端的电压V_DS未超过MOSFET Q3的D极与S极之间的最大耐受电压，则MOSFET Q3将正常工作。若MOSFET Q3的D极与S极两端的电压V_DS超过MOSFET Q3的D极与S极之间的最大耐受电压，则MOSFET Q3将受到过电压损坏。特别是在电路中发生短路或过电流的情况下，快速关闭MOSFET Q3，MOSFET Q3将因受过电压而发生损坏。

实用新型内容

本申请提供了一种MOSFET的保护电路，用于解决快速关闭MOSFET Q3时，电路中的寄生电感L产生的寄生感应电压过大，从而导致MOSFET容易受到过电压损坏的问题。

一种用于MOSFET的保护电路，所述电路包括串联的稳压电路S1与延迟电路S2，其中所述稳压电路S1包括稳压二极管D1，所述稳压二极管D1的负极用于连接MOSFET Q3的D极，所述稳压二极管D1的正极连接所述延迟电路S2的一端；

所述延迟电路S2的另一端连接MOSFET Q2的G极，当关闭MOSFET Q3时，若MOSFET Q3的D极与S极之间的电压V_DS超过所述稳压二极管D1的稳压电压，则所述稳压二极管D1导通，带动所述延迟电路S2导通，使MOSFET Q2的G极的电压降低，从而使MOSFET Q2延迟对MOSFET Q1的关闭动作。

优选地，所述延迟电路S2包括串联的电阻R1与三极管Q4，所述电阻R1的一端连接所述稳压二极管D1的正极，所述电阻R1的另一端连接所述三极管Q4的b极；

所述三极管Q4的c极用于连接MOSFET Q2的G极，所述三极管Q4的e极接地。

优选地，所述保护电路还包括补能电路S3，所述补能电路S3的一端连接所述稳压二极管D1的正极，所述补能电路S3的另一端用于连接MOSFET Q3的G极，

当关闭MOSFET Q3时，若MOSFET Q3的D极与S极之间的电压V_DS超过所述稳压二极管D1的稳压电压，则所述稳压二极管D1导通，带动所述补能电路S3导通，使MOSFET Q3的G极的电压提高，从而使MOSFET Q3的关闭动作延迟。

优选地，所述补能电路S3包括串联的二极管D2与电阻R2，

所述二极管D2的正极连接所述稳压二极管D1的正极，所述二极管D2的负极连接所述电阻R2的一端，

所述电阻R2的另一端连接MOSFET Q3的G极。

优选地，所述保护电路还包括吸能电路S4，所述吸能电路S4用于并联在MOSFET Q3的D极与S极的两端，所述吸能电路S4用于吸收寄生电感L产生的反向感应电能。

优选地，所述吸能电路S4包括一电容C，所述电容C并联在MOSFET Q3的D极与S极的两端。