[实用新型]一种具有p型导电沟道的半导体器件有效
| 申请号： | 201721314334.1 | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN207217546U | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 王晶晶;冯志红;蔚翠;周闯杰;刘庆彬;何泽召 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种具有p型导电沟道的半导体器件，属于半导体器件领域，包括衬底，衬底的上表面设有高阻金刚石层，高阻金刚层的上表面形成有C‑H键；高阻金刚石层的上表面设有具有受主特性的一层或多层异质单质或化合物作为受主层，在高阻金刚石层与受主层的界面处形成一个异质结，在高阻金刚石层的一侧处形成二维空穴气，利用二维空穴气作为p型导电沟道。本实用新型半导体器件，利用具有C‑H终端的金刚石与受主层的极化作用，形成二维空穴气。掺杂是由材料本身的极化效应导致，受温度影响极低，在极低温度下亦保持较稳定的掺杂效率；而杂质电离散射的消除也大大的提高了材料中的载流子迁移率，从而使得半导体器件中的载流子迁移率得到了提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 导电 沟道 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种具有p型导电沟道的半导体器件，其特征在于：包括衬底，所述衬底的上表面设有高阻金刚石层，所述高阻金刚层的上表面形成有C‑H键；所述高阻金刚石层的上表面设有具有受主特性的一层或多层异质单质或化合物作为受主层，在所述高阻金刚石层与所述受主层的界面处形成一个异质结，在所述高阻金刚石层的一侧近结10nm‑20nm处形成二维空穴气，利用二维空穴气作为p型导电沟道。
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