[实用新型]一种具有p型导电沟道的半导体器件有效

申请号：	201721314334.1	申请日：	2017-10-12
公开（公告）号：	CN207217546U	公开（公告）日：	2018-04-10
发明（设计）人：	王晶晶;冯志红;蔚翠;周闯杰;刘庆彬;何泽召	申请（专利权）人：	中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号：	H01L29/778	分类号：	H01L29/778;H01L29/06;H01L29/12
代理公司：	石家庄国为知识产权事务所13120	代理人：	米文智
地址：	050051 ***	国省代码：	河北;13
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摘要：
搜索关键词：	一种具有导电沟道半导体器件
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【权利要求书】：

1.一种具有p型导电沟道的半导体器件，其特征在于：包括衬底，所述衬底的上表面设有高阻金刚石层，所述高阻金刚层的上表面形成有C-H键；所述高阻金刚石层的上表面设有具有受主特性的一层或多层异质单质或化合物作为受主层，在所述高阻金刚石层与所述受主层的界面处形成一个异质结，在所述高阻金刚石层的一侧近结10nm-20nm处形成二维空穴气，利用二维空穴气作为p型导电沟道。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：在所述高阻金刚石层与受主层之间设有外延金刚石层。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述具有受主特性的一层或多层异质单质或化合物的厚度为1nm-100μm。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述衬底的厚度为100μm-1000μm。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述高阻金刚石层的厚度为1μm-1000μm。

6.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：所述外延金刚石层的厚度为10nm-1μm。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述高阻金刚石层表面粗糙度为1nm。

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