[实用新型]一种半导体功率器件有效
| 申请号： | 201721283724.7 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN207250524U | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 朱辉;肖秀光 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司;深圳比亚迪微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体功率器件，包括衬底；阱区；阱区接触层；发射极区；栅极氧化层；栅极保护层；接触电极；所述衬底的背面设有贯穿至缓冲层且间隔排列的沟槽，所述沟槽中填充有导电介质；集电极区，所述集电极区设置在所述缓冲层中且与所述沟槽的底面相对应。该半导体功率器件，通过在衬底的背面设置间隔排列沟槽，通过沟槽的总宽度来调整集电极区域的大小，从而控制集电极空穴的注入效率；另外该结构的该半导体功率器件能够在保证性能的基础上增加芯片厚度，不易导致碎片，增加了生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体功率器件，其特征在于，包括：衬底；位于衬底之上依次设置的缓冲层和漂移区；阱区，所述阱区位于所述漂移区中，且靠近漂移区上表面设置；阱区接触层，所述阱区接触层位于所述阱区中，且靠近漂移区上表面设置；发射极区，所述发射极区位于所述阱区和阱区接触层中，且靠近漂移区上表面设置；栅极氧化层，所述栅极氧化层位于所述漂移区的上表面；栅极，所述栅极位于所述栅极氧化层的上表面；栅极保护层，所述栅极保护层位于所述栅极的上表面，及覆盖栅极氧化层和栅极的侧面；接触电极，所述接触电极位于所述栅极氧化层的上表面，且与发射极区和阱区接触层相连；所述衬底的背面设有贯穿至缓冲层且间隔排列的沟槽，所述沟槽中填充有导电介质；集电极区，所述集电极区设置在所述缓冲层中且与所述沟槽的底面相对应。
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