[实用新型]短腔近贴式532nm半导体泵浦激光器有效

专利信息
申请号: 201721189784.2 申请日: 2017-09-18
公开(公告)号: CN207183794U 公开(公告)日: 2018-04-03
发明(设计)人: 曹宇;窦洋;曹丰慧;朱婉莹;邓岩;郑权;郭丹 申请(专利权)人: 长春新产业光电技术有限公司
主分类号: H01S5/04 分类号: H01S5/04
代理公司: 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司22100 代理人: 王薇
地址: 130012 吉林省*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 实用新型涉及一种短腔近贴式532nm半导体泵浦激光器,由LD激光二极管泵浦源、LM工作物质、LBO倍频晶体、扩束镜M1、平凸镜M2组成,其特征在于LD激光二极管泵浦源、LM工作物质、LBO倍频晶体、扩束镜M1、平凸镜M2按从前至后的顺序布置在同一光轴上,LD激光二极管泵浦源与LM工作物质之间为紧贴布置,平凸镜M2为激光器的准直系统。其去掉聚焦镜,利用相关工艺制造的532nm半导体激光器节约成本、减小尺寸、提高效率、同样利于大规模的生产。
搜索关键词: 短腔近贴式 532 nm 半导体 激光器
【主权项】:
短腔近贴式532nm半导体泵浦激光器,由LD激光二极管泵浦源、LM工作物质、LBO倍频晶体、扩束镜M1、平凸镜M2组成,其特征在于:LD激光二极管泵浦源、LM工作物质、LBO倍频晶体、扩束镜M1、平凸镜M2按从前至后的顺序布置在同一光轴上,LD激光二极管泵浦源与LM工作物质之间为紧贴布置,平凸镜M2为激光器的准直系统。
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