[实用新型]短腔近贴式532nm半导体泵浦激光器有效
| 申请号： | 201721189784.2 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN207183794U | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 曹宇;窦洋;曹丰慧;朱婉莹;邓岩;郑权;郭丹 | 申请（专利权）人： | 长春新产业光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/04 | 分类号： | H01S5/04 |
| 代理公司： | 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司22100 | 代理人： | 王薇 |
| 地址： | 130012 吉林省*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 短腔近贴式 532 nm 半导体 激光器 | ||
【权利要求书】：
1.短腔近贴式532nm半导体泵浦激光器，由LD激光二极管泵浦源、LM工作物质、LBO倍频晶体、扩束镜M1、平凸镜M2组成，其特征在于：LD激光二极管泵浦源、LM工作物质、LBO倍频晶体、扩束镜M1、平凸镜M2按从前至后的顺序布置在同一光轴上，LD激光二极管泵浦源与LM工作物质之间为紧贴布置，平凸镜M2为激光器的准直系统。
2.根据权利要求1中所述的短腔近贴式532nm半导体泵浦激光器，其特征在于所述的LD激光二极管泵浦源为激光二极管，泵浦光峰值输出波长为808nm，泵浦光作用到激光增益介质中。
3.根据权利要求1中所述的短腔近贴式532nm半导体泵浦激光器，其特征在于所述的LM工作物质为掺钕钒酸钇Nd:YVO4，激光为波长1064nm。
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