[实用新型]短腔近贴式532nm半导体泵浦激光器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种短腔近贴式532nm半导体泵浦激光器，属于激光器设备，特别是一种通过二次谐波产生波长为532nm激光的短腔近贴式半导体泵浦激光器的器件设计。

背景技术

近几年，随着LD技术的发展，LD泵浦的绿光激光模组因其具有方向性好、衰减小、视觉敏感等优点，在明亮及户外场所均可使用，已在光通讯、激光显示和测量等领域应用广泛。随着科技的不断进步，电子器件的生产日益优化，在工艺技术越来越完善的同时，对其核心组件激光模组也相应的提出了更高的要求，追求小尺寸、重量轻、高效率就成为了激光模组设计的必经之路。

传统的532nm激光器是由泵浦源、聚焦镜、工作物质、倍频晶体、扩束镜和平凸镜组成。工作物质选用掺钕钒酸钇，Nd:YVO₄为四方晶体，属锆英石（SrSiO₄）型结构，单轴晶系。Nd:YVO₄中激活离子位置具有低的点群对称性，离子振荡强度大。机制上Nd离子有敏化作用，提高了它的吸收能力。Nd:YVO₄在1.06μm处有较大的受激发射界面，是Nd:YAG的四倍，在808nm附近的吸收带宽约20nm，是Nd:YAG的五倍之多，且吸收峰值也很高，所以特别适合于LD泵浦。

倍频，光学的二次谐波。一般的激光器都是利用激光增益介质直接获得激光，这样的波段很有限，如果使用倍频技术，即利用倍频晶体在激光器中进行倍频，那么就可以获得更多波段的激光输出了，所以倍频晶体的选择十分重要。匹配类型为I型的LBO折射率为1.56，有效非线性系数1.16×10^-12m/v，损伤阈值2.5GW/cm²，吸收为0.005cm^-1。因其具有上述特性，被广泛用作半导体激光器中的倍频晶体。

输出波长为532nm的半导体激光器的原理是将波长输出为808nm的激光二极管LD用作泵浦源，泵浦激光晶体掺钕钒酸钇Nd:YVO₄得到输出波长为1064nm的激光，然后再经过倍频晶体倍频后，将得到波长为532nm的激光输出。这种技术已是十分成熟了，但是为了达到现代科技对工艺的要求，我们在传统工艺的基础上进行改良创新，在激光器的构成零部件中去掉聚焦镜，这样的设计既可以缩减激光器尺寸，节约成本，使激光二极管泵浦源LD直接作用在激光工作物质上，二者采取近贴的方式，通过调节它们之间的距离来控制光发散程度，同时又起到了增加激光效率的目的。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种短腔近贴式532nm半导体泵浦激光器，其去掉聚焦镜，利用相关工艺制造的532nm半导体激光器节约成本、减小尺寸、提高效率、同样利于大规模的生产。

本实用新型的技术方案是这样实现的：短腔近贴式532nm半导体泵浦激光器，由LD激光二极管泵浦源、LM工作物质、LBO倍频晶体、扩束镜M1、平凸镜M2组成，其特征在于：LD激光二极管泵浦源、LM工作物质、LBO倍频晶体、扩束镜M1、平凸镜M2按从前至后的顺序布置在同一光轴上，LD激光二极管泵浦源与LM工作物质之间为紧贴布置，平凸镜M2为激光器的准直系统。

所述的LD激光二极管泵浦源为激光二极管，泵浦光峰值输出波长为808nm，泵浦光作用到激光增益介质中。

所述的LM工作物质为掺钕钒酸钇Nd:YVO₄，激光为波长1064nm。

本实用新型的积极效果是其尺寸小、重量轻、效率高；去掉聚焦镜，利用相关工艺制造的532nm半导体激光器节约成本、减小尺寸、提高效率、同样利于大规模的生产。

附图说明

图1为本发明实施例的结构组成示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步说明：如图1所示，短腔近贴式532nm半导体泵浦激光器，由LD激光二极管泵浦源、LM工作物质、LBO倍频晶体、扩束镜M1、平凸镜M2组成，其特征在于：LD激光二极管泵浦源、LM工作物质、LBO倍频晶体、扩束镜M1、平凸镜M2按从前至后的顺序布置在同一光轴上，LD激光二极管泵浦源与LM工作物质之间为紧贴布置，平凸镜M2为激光器的准直系统。

所述的LD激光二极管泵浦源为激光二极管，泵浦光峰值输出波长为808nm，泵浦光作用到激光增益介质中。

所述的LM工作物质为掺钕钒酸钇Nd:YVO₄，激光为波长1064nm。