[实用新型]显示装置有效
| 申请号： | 201721172053.7 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN207381400U | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 铃村功;渡壁创;花田明纮;渡边裕一 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/04;H01L29/16;H01L29/24;H01L27/32;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及显示装置。本实用新型要解决的课题为能够在同一基板内形成LTPSTFT和氧化物半导体TFT。解决手段为一种显示装置，其为在基板(100)上形成有具有氧化物半导体层(102)的第一TFT、和具有Poly‑Si层(106)的第二TFT的显示装置，显示装置的特征在于，在基板(100)上形成基膜(101)，在基膜(101)上方形成氧化物半导体层(102)，在氧化物半导体层(102)上方形成第一层间绝缘膜(105)，在所述第一层间绝缘膜(105)上方形成所述Poly‑Si层(106)。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置，其为在基板上形成有具有氧化物半导体层的第一TFT、和具有Poly-Si层的第二TFT的显示装置，所述显示装置的特征在于，在所述基板上形成基膜，在所述基膜的上方形成所述氧化物半导体层，在所述氧化物半导体层的上方形成第一层间绝缘膜，在所述第一层间绝缘膜的上方形成所述Poly-Si层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
