[实用新型]一种芯片部件及功率芯片有效
申请号: | 201721171152.3 | 申请日: | 2017-09-13 |
公开(公告)号: | CN207398113U | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 袁俊;倪炜江;黄兴;杨永江;张敬伟;牛喜平;李明山;徐妙玲;窦娟娟 | 申请(专利权)人: | 北京世纪金光半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L23/31 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 王宁宁 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种芯片部件及功率芯片,该芯片部件包括半导体衬底、有源区及沟槽保护环;有源区及沟槽保护环均设置在半导体衬底上,沟槽保护环环绕有源区。本实用新型在有源区外围设置沟槽保护环,并在沟槽保护环中淀积填充电介质、多晶硅或者金属。在划片之前,沟槽保护环位于有源电极区与划片道之间,合理利用了有源电极区与划片道之间的钝化层,提高了芯片面积的有效利用率。且在划片时沟槽保护环能够保护有源区,使划片的损伤裂纹等终止在沟槽保护环所在的区域。另外,沟槽保护环有助于防止水汽和离子对有源区的侵蚀,有利于增长半导体器件的可靠性。当沟槽保护环中填充金属并接地时,还有助于半导体器件的抗干扰性。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片 部件 功率 | ||
【主权项】:
1.一种芯片部件,其特征在于,包括半导体衬底、有源区及沟槽保护环;所述有源区及所述沟槽保护环均设置在所述半导体衬底上,所述沟槽保护环环绕所述有源区;还包括钝化层;所述钝化层覆盖在所述半导体衬底表面,且位于有源电极区与划片道之间,所述沟槽保护环位于所述钝化层覆盖的区域。
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