[实用新型]一种芯片部件及功率芯片有效

专利信息
申请号: 201721171152.3 申请日: 2017-09-13
公开(公告)号: CN207398113U 公开(公告)日: 2018-05-22
发明(设计)人: 袁俊;倪炜江;黄兴;杨永江;张敬伟;牛喜平;李明山;徐妙玲;窦娟娟 申请(专利权)人: 北京世纪金光半导体有限公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L23/31
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 王宁宁
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供了一种芯片部件及功率芯片,该芯片部件包括半导体衬底、有源区及沟槽保护环;有源区及沟槽保护环均设置在半导体衬底上,沟槽保护环环绕有源区。本实用新型在有源区外围设置沟槽保护环,并在沟槽保护环中淀积填充电介质、多晶硅或者金属。在划片之前,沟槽保护环位于有源电极区与划片道之间,合理利用了有源电极区与划片道之间的钝化层,提高了芯片面积的有效利用率。且在划片时沟槽保护环能够保护有源区,使划片的损伤裂纹等终止在沟槽保护环所在的区域。另外,沟槽保护环有助于防止水汽和离子对有源区的侵蚀,有利于增长半导体器件的可靠性。当沟槽保护环中填充金属并接地时,还有助于半导体器件的抗干扰性。
搜索关键词: 一种 芯片 部件 功率
【主权项】:
1.一种芯片部件,其特征在于,包括半导体衬底、有源区及沟槽保护环;所述有源区及所述沟槽保护环均设置在所述半导体衬底上,所述沟槽保护环环绕所述有源区;还包括钝化层;所述钝化层覆盖在所述半导体衬底表面,且位于有源电极区与划片道之间,所述沟槽保护环位于所述钝化层覆盖的区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京世纪金光半导体有限公司,未经北京世纪金光半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201721171152.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top