[实用新型]一种半导体处理设备有效
申请号: | 201721149761.9 | 申请日: | 2017-09-08 |
公开(公告)号: | CN207338298U | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 栾大为 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人: | 孙向民;廉莉莉 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提出了一种半导体处理设备,包括:气体输送部件,其用于输入反应气体;匀流腔,其与所述气体输送部件连接;真空腔室,其与所述匀流腔连通,所述真空腔室内部设置有用于放置晶片的载台;以及喷头,其设置在所述匀流腔和所述真空腔室的连通处;其中,所述喷头上布置气孔,并且所述喷头朝向所述匀流腔的表面为中间凸起的弧面。根据本实用新型的半导体处理设备通过将喷头朝向匀流腔的表面设置为中间凸起的弧面改善了腔室气流均匀性,并且通过在真空腔室内增设匀流挡板进一步进行匀流,改变了气体流场的分布,从而提高了刻蚀均匀性,同时提高了刻蚀速率。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】:
1.一种半导体处理设备,包括:气体输送部件,其用于输入反应气体;匀流腔,其与所述气体输送部件连接;真空腔室,其与所述匀流腔连通,所述真空腔室内部设置有用于放置晶片的载台;以及喷头,其设置在所述匀流腔和所述真空腔室的连通处;其特征在于,所述喷头上布置气孔,并且所述喷头朝向所述匀流腔的表面为中间凸起的弧面。
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