[实用新型]半导体制程用的气体温度调节装置有效
| 申请号： | 201721083146.2 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN207199578U | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 江明翰;张宝曜;林立崧 | 申请（专利权）人： | 博斯科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 许静,安利霞 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体制程用的气体温度调节装置，其包含有一机壳，其外侧具有至少一输入口及至少一输出口，且所述机壳内具有一容置空间；一温控模块，设于所述容置空间，所述温控模块具有至少一致冷单元，所述致冷单元一侧设有一散热结构，而所述致冷单元的另一侧组设有一降温结构，所述降温结构内具有至少一流道，所述流道连通所述输入口及所述输出口；及一中央处理模块，电性连接所述温控模块，并用于控制所述温控模块的作动；以此，本实用新型不必装设压缩机，从而能针对载体气体进行降温，并能简化设备体积及成本，以及达到体积小、散热效率高及提高良率的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制程用 气体 温度 调节 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体制程用的气体温度调节装置，其特征在于，包含有：一机壳，其外侧具有至少一输入口及至少一输出口，且所述机壳内具有一容置空间；一温控模块，其设于所述容置空间，所述温控模块具有至少一致冷单元，所述致冷单元一侧设有一散热结构，而所述致冷单元的另一侧组设有一降温结构，所述降温结构内具有至少一流道，所述流道连通所述输入口及所述输出口；及一中央处理模块，其电性连接所述温控模块，并用于控制所述温控模块的作动；其中，所述流道供一载体气体流通，而所述中央处理模块控制所述温控模块的作动，以供驱使所述致冷单元对所述降温结构的流道内的载体气体进行降温，所述致冷单元将运作的热能透过所述散热结构进行散热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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