[实用新型]一种降低屏蔽栅MOSFET晶圆应力的沟槽掩膜板有效
| 申请号： | 201720651694.4 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN207651450U | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 周宏伟;杨乐;刘挺;岳玲 | 申请（专利权）人： | 西安龙腾新能源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/027;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710021 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种降低屏蔽栅MOSFET晶圆应力的沟槽掩膜板，所述沟槽掩膜板的源极区包括横向沟槽区和纵向沟槽区，横向沟槽区和纵向沟槽区均为矩形并间隔分布。本实用新型将源极区内从单一方向沟槽更新为横向纵向沟槽各占50%面积，令晶圆在减薄生产后沟槽应力均衡，减小晶圆翘曲度，便于后续的晶圆封装和晶圆测试。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 沟槽掩膜 横向沟槽 纵向沟槽 屏蔽栅 本实用新型 方向沟槽 横向纵向 间隔分布 晶圆测试 晶圆翘曲 应力均衡 源极区 减薄 减小 源极 封装 更新 生产 | ||
【主权项】：
1.一种降低屏蔽栅MOSFET晶圆应力的沟槽掩膜板，其特征在于：所述沟槽掩膜板的源极区包括横向沟槽区和纵向沟槽区；横向沟槽区和纵向沟槽区均为矩形并间隔分布；所述沟槽掩膜板的源极区包括两个大区，其中一个大区分为三个小区，合计四个区，横向沟槽区和纵向沟槽区各占两区，二者面积比为1:1；横向沟槽区和纵向沟槽区之间设置有间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
