[实用新型]一种降低屏蔽栅MOSFET晶圆应力的沟槽掩膜板

说明书

本实用新型涉及一种降低屏蔽栅MOSFET晶圆应力的沟槽掩膜板，所述沟槽掩膜板的源极区包括横向沟槽区和纵向沟槽区，横向沟槽区和纵向沟槽区均为矩形并间隔分布。本实用新型将源极区内从单一方向沟槽更新为横向纵向沟槽各占50%面积，令晶圆在减薄生产后沟槽应力均衡，减小晶圆翘曲度，便于后续的晶圆封装和晶圆测试。

技术领域

本实用新型属于半导体功率器件技术领域，具体涉及一种降低屏蔽栅MOSFET晶圆应力的沟槽掩膜板。

背景技术

现有屏蔽栅MOSFET的沟槽掩膜板为源极区域单一方向沟槽设计，如图1。在屏蔽栅MOSFET晶圆生产时深的沟槽内不同材质的填充后，如图4，沟槽内会产生较大的应力，导致晶圆减薄至100微米后晶圆水平方向翘曲比较严重，在后续的测试和封装环节中，翘曲的屏蔽栅MOSFET晶圆易与传输手臂触碰，引起晶圆破裂无法使用。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种降低屏蔽栅MOSFET晶圆应力的沟槽掩膜板，克服现有技术中的缺陷。

本实用新型所采用的技术方案为：

一种降低屏蔽栅MOSFET晶圆应力的沟槽掩膜板，其特征在于：

所述沟槽掩膜板的源极区包括横向沟槽区和纵向沟槽区。

横向沟槽区和纵向沟槽区均为矩形并间隔分布。

所述沟槽掩膜板的源极区包括两个大区，分别为横向沟槽区和纵向沟槽区，二者面积比为1:1。

所述沟槽掩膜板的源极区包括两个大区，其中一个大区分为三个小区，合计四个区，横向沟槽区和纵向沟槽区各占两区，二者面积比为1:1。

本实用新型具有以下优点：

本实用新型涉及的一种降低屏蔽栅MOSFET晶圆应力的沟槽掩膜板，将源极内沟槽从单一方向更新为纵向横向沟槽各占一定比例的图形，令晶圆在减薄生产后沟槽应力均衡，减小晶圆翘曲度，便于后续的晶圆封装和晶圆测试，降低晶圆破裂风险，并在此基础上分化为两种设计，图2的设计沟槽应力分散更好，翘曲度比图3设计稍小。图3设计区与区之间无缝隙、无终端结构，节省面积。

附图说明

图1为现有的低压超级结沟槽掩膜板普通版图。

图2为本实用新型实施例提供屏蔽栅MOSFET源极分区新型沟槽掩膜板结构示意图。

图3 为本实用新型实施例提供屏蔽栅MOSFET源极高使用率的不分区新型沟槽掩膜板结构示意图。

图4为本实用新型截面图。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本实用新型进行详细的说明。

本实用新型涉及的一种降低屏蔽栅MOSFET晶圆应力的沟槽掩膜板，其源极区包括横向沟槽区和纵向沟槽区，横向沟槽区和纵向沟槽区各占50%面积，令晶圆减薄生产后沟槽应力均衡，减小晶圆翘曲度，便于后续的晶圆封装和晶圆测试。横向沟槽区和纵向沟槽区均为矩形并间隔分布。所述沟槽设计区域为大面积源极下方，所述沟槽为直条。

图2所示为屏蔽栅MOSFET源极分区新型沟槽掩膜板，沟槽掩膜板的源极区包括两个大区，其中一个大区分为三个小区，合计四个区，横向沟槽区和纵向沟槽区各占两区，二者面积比为1:1。

图3所示为屏蔽栅MOSFET源极高使用率的不分区新型沟槽掩膜板，沟槽掩膜板的源极区包括两个大区，分别为横向沟槽区和纵向沟槽区，二者面积比为1:1。

两个设计均可让屏蔽栅MOSFET中沟槽产生的应力分布均匀。