[实用新型]一种高导热高出光的紫光封装结构有效

专利信息
申请号: 201720649866.4 申请日: 2017-06-06
公开(公告)号: CN207338368U 公开(公告)日: 2018-05-08
发明(设计)人: 杨帆 申请(专利权)人: 深圳市同一方光电技术有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/64
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 谈杰
地址: 518104 广东省深圳市宝安区沙井*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种高导热高出光的紫光封装结构,包括AlN基板,所述AlN基板上设有一层氮化铝绝缘导热底层,所述AlN基板上焊接有两组正负电极,所述氮化铝绝缘导热底层上焊接有均匀排布的DPC焊盘,所述DPC焊盘上安装UV芯片,所述AlN基板背部为龟纹形状的金属焊接背镀,所述UV芯片采用合晶粉共晶至AlN基板上,其之间形成共晶焊接层,所述AlN基板的边缘设有耐UV挡墙,本实用新型不需要进行二次组装,而且本实用新型的结构设计结构简单,成本较低。
搜索关键词: 一种 导热 高出光 紫光 封装 结构
【主权项】:
1.一种高导热高出光的紫光封装结构,其特征在于:包括AlN基板(8),所述AlN基板(8)上设有一层氮化铝绝缘导热底层(1),所述AlN基板(8)上焊接有两组正负电极(2),所述氮化铝绝缘导热底层(1)上焊接有均匀排布的DPC焊盘(3),所述DPC焊盘(3)上安装UV芯片(4),所述AlN基板(8)背部为龟纹形状的金属焊接背镀(7),所述UV芯片(4)采用合晶粉共晶至AlN基板(8)上,其之间形成共晶焊接层(5),所述AlN基板(8)的边缘设有耐UV挡墙(6)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市同一方光电技术有限公司,未经深圳市同一方光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720649866.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top