[实用新型]一种DFN2013‑2高密度框架有效
| 申请号： | 201720510248.1 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN206685375U | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 罗天秀;樊增勇;崔金忠;李东;许兵;李宁;李超 | 申请（专利权）人： | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所51221 | 代理人： | 王芸,熊晓果 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种DFN2013‑2高密度框架，包括板状结构的矩形框架，在框架上多个与DFN2013‑2封装结构相适应的芯片安装部，所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚安置区，所述芯片安置区和引脚安置区的比例为21或31或41，芯片的2根引脚均焊接于引脚安置区内。该框架将芯片安装部的芯片安置区和引脚安置区按比例布置，将2根引脚同时焊接于引脚安置区内，无需单独在芯片安装部周围设置引脚槽，能将芯片安装部设置得更密，提高框架基体材料利用率、降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dfn2013 高密度 框架 | ||
【主权项】：
一种DFN2013‑2高密度框架，包括板状结构的矩形框架，其特征在于，在框架上多个与DFN2013‑2封装结构相适应的芯片安装部，所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚安置区，所述芯片安置区和引脚安置区的比例为2:1或3:1或4:1，且芯片的2根引脚均焊接于引脚安置区内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都先进功率半导体股份有限公司，未经成都先进功率半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201720510248.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种乳腺微创手术多方位吸附乳房固定装置
- 下一篇：切口扩张器及其卡环
