[实用新型]一种MOSFET管驱动电路有效
| 申请号： | 201720202847.7 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN206506508U | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 何志强;周译斐 | 申请（专利权）人： | 浙江特康电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/04 | 分类号： | H03K17/04;H03K17/08;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙)11489 | 代理人： | 姚海波 |
| 地址： | 314009 浙江省嘉兴市南湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种驱动电路结构，具体的说是一种MOSFET管驱动电路。包括基极限流单元，一端连接PWM信号，另一端连接隔离单元，用于对第一驱动管和第二驱动管的基极电流进行限流；隔离单元，用于对第一驱动管和第二驱动管进行隔离，使第一驱动管和第二驱动管不同时导通；基准电压单元，连接在第一电源和地线之间，用于向隔离单元提供PWM基准电压；第一驱动管，为PNP型晶体管，基极连接隔离单元的一端，发射极连接第二电源，集电极连接第二驱动管的集电极；第二驱动管，为NPN型晶体管，基极连接隔离单元的另一端，发射极连接地线。本实用新型可以实现MOSFET管快速开关。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种MOSFET管驱动电路，其特征在于，包括：基极限流单元，一端连接PWM信号，另一端连接隔离单元，用于对第一驱动管和第二驱动管的基极电流进行限流；隔离单元，用于对第一驱动管和第二驱动管进行隔离，使第一驱动管和第二驱动管不同时导通；基准电压单元，连接在第一电源和地线之间，用于向隔离单元提供PWM基准电压；第一驱动管，为PNP型晶体管，基极连接隔离单元的一端，发射极连接第二电源，集电极连接第二驱动管的集电极；第二驱动管，为NPN型晶体管，基极连接隔离单元的另一端，发射极连接地线；所述第一驱动管和第二驱动管的连接点向MOSFET管的栅极提供驱动电流；所述第一电源的电压不超过所述第二电源的电压。
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