[实用新型]一种MOSFET管驱动电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种驱动电路结构，具体的说是一种MOSFET管驱动电路。

背景技术

MOSFET具有导通内阻低、开关速度快、易并联、所需驱动功率低等优点，已成为马达驱动电路或开关电源最常用的功率开关器件之一。在使用MOSFET管设计电路的时候，大多都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。而MOSFET驱动电路的好坏直接影响电路工作的可靠性及性能指标。对一个好的MOSFET驱动电路的要求是：

(1)开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡；

(2)开关管导通期间，驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定，使导通可靠；

(3)开关管关断瞬间，驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断；

(4)开关管关断期间，驱动电路最好能提供一定的负电压避免受到干扰产生误导通；

(5)要求驱动电路结构简单可靠，损耗小，最好有隔离。

发明内容

针对现有技术中存在的上述不足之处，本发明要解决的技术问题是提供一种MOSFET管驱动电路。

本发明为实现上述目的所采用的技术方案是：一种MOSFET管驱动电路，包括：

基极限流单元，一端连接PWM信号，另一端连接隔离单元，用于对第一驱动管和第二驱动管的基极电流进行限流；

隔离单元，用于对第一驱动管和第二驱动管进行隔离，使第一驱动管和第二驱动管不同时导通；

基准电压单元，连接在第一电源和地线之间，用于向隔离单元提供PWM基准电压；

第一驱动管，为PNP型晶体管，基极连接隔离单元的一端，发射极连接第二电源，集电极连接第二驱动管的集电极；

第二驱动管，为NPN型晶体管，基极连接隔离单元的另一端，发射极连接地线；

所述第一驱动管和第二驱动管的连接点向MOSFET管的栅极提供驱动电流；

所述第一电源的电压不超过所述第二电源的电压。

所述隔离单元为图腾柱电路，包括：

第一晶体管，为NPN型晶体管，基极连接基极限流单元，发射极连接第二晶体管的发射极，集电极连接所述第一驱动管的基极；

第二晶体管，为PNP型晶体管，基极连接基极限流单元，集电极连接所述第二驱动管的基极。

还包括驱动保护单元，所述驱动保护单元包括：

驱动电阻，连接在第二驱动管的集电极和待驱动MOSFET管的栅极之间；

限流电阻和快恢复二极管，串联连接，且所述串联结构并联在驱动电阻上。

还包括防静电电阻，连接在待驱动MOSFET管的栅极和地线之间。

还包括稳压二极管，连接在待驱动MOSFET管的栅极和地线之间。

还包括悬空保护电阻，一端连接所述基极限流单元与所述隔离单元的连接线上，另一端连接地线。

还包括第一电容，连接在基准电压单元的输出端和地线之间。

本发明具有以下优点及有益效果：

1.可以实现MOSFET管快速开关；

2.PWM信号同相；

3.用低端电压和PWM驱动高端MOS管；

4.用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管；

5.gate电压的峰值限制；

6.输入和输出的电流限制；

7.通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。

附图说明

图1为本发明一个实施例的驱动电路结构图。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本发明做进一步的详细说明。

如图1所示，一种MOSFET管驱动电路，包括：

基极限流单元，一端连接PWM信号，另一端连接隔离单元，用于对第一驱动管和第二驱动管的基极电流进行限流；在本发明的一个实施例中，基极限流单元由电阻R1实现，提供了对晶体管Q1和Q2的基极电流限制。