[实用新型]砷化镓芯片的背面金属结构有效
| 申请号： | 201720174055.3 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN206546818U | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | 周泽阳;魏鸿基;王江;朱庆芳;吴小琦 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/373 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司35204 | 代理人： | 张松亭,陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种砷化镓芯片的背面金属结构，包括设置在砷化镓基体背面上的Ni金属层、设置在Ni金属层上的WTi合金层以及设置在WTi合金层上的Au金属层；其中所述Ni金属层的厚度为40‑80nm，所述WTi合金层的厚度为40‑80nm，所述Au金属层的厚度为400‑450nm。通过Ni/WTi/Au复合结构的设置，镍和砷化镓基体能够很好的混合而极大的提高了结合力，减少或消除了金属薄膜的剥离，提高了芯片的整体性能，并减少了贵重金属的用量。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓 芯片 背面 金属结构 | ||
【主权项】：
一种砷化镓芯片的背面金属结构，其特征在于：包括设置在砷化镓基体背面上的Ni金属层、设置在Ni金属层上的WTi合金层以及设置在WTi合金层上的Au金属层；其中所述Ni金属层的厚度为40‑80nm，所述WTi合金层的厚度为40‑80nm，所述Au金属层的厚度为400‑450nm。
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